SIH4 + SIH3 + N2 用于氮化硅沉积。温度为300℃，贵州等离子式除胶渣机速率沉积速率约为180埃/分钟。非晶碳化硅薄膜是通过添加硅烷和含碳共聚物得到SIXC1+X:H得到的。其中 X 是 SI / SI + C 的比率。硬度超过2500kg/mm2。等离子将聚合物薄膜沉积在多孔基材上，
