无氢等离子体表面处理仪器处理后的Si-C/Si-O峰强度比（面积比）为0.87。处理后的Si-C/Si-O的XPS峰强比（面积比）为0.21，湿法蚀刻工艺介绍比未处理的Si-C/Si-O降低75%。湿法处理的表面Si-O含量明显高于等离子体处理的表面。高能电子衍射(RHEED)分析表明，氢等离子体表
