在10nm工艺中已经利用CO-H2成功地形成了光刻等离子体蚀刻关键尺寸差异小于1nm，油漆附着力的论文直径15nm 的接触孔。 越来越接近硅半导体的瓶颈，新材料不断地涌现，且实现的器件也越来越多，并更接近量产。这些即将出现在半导体集成电路里面的新材料，对于蚀刻很有挑战。这类材料一般都具有更好的导电性
