广东芳如达科技有限公司 2022-12-12 14:33:45 97 阅读
半导体的污染杂质和分类半导体制造需要一些有机和无机材料参与完成,无机附着力助剂另外,由于这个过程总是在净化室中由人参与进行的,所以半导体晶圆难免会受到各种杂质的污染。按照污染物的来源和性质,可大致分为微粒、有机物、金属离子和氧化物。1.1微粒微粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这些污染物主要通过范德华引力吸附在晶圆表面,影响器件光刻几何形状和电学参数的形成。
(1) 无机气体被激发到等离子体状态; (2)气相物质吸附在固体表面; (3)被吸附该基团与固体表面分子反应形成产物分子; (4) 产物分子分解形成气相; (5)反应残渣离开表面。清洁方法在以下方程式和图 1、图 2 和图 3 中进行了详细描述。 2.1 化学清洗表面反应主要是具有化学反应的等离子清洗。
就反应机理而言,无机附着力促进剂粉末等离子体清洗通常包括以下过程:无机气体被激发到等离子体状态;气相物质被吸附在固体表面;被吸附基团与固体表面分子反应形成产物分子。产物分子被分析形成气相。反应残渣从表面脱落。
随着细线技术的不断发展,无机附着力助剂pitCH20&MU已开发出M、10 & mu产品。由于ITO玻璃表面的洁净度很高,因此对ITO玻璃的可焊性要求很高。应经久耐用,表面不应留有各种有机(机械)和无机杂质,防止ITO玻璃电极与ICBUMP之间传导。因此,ITO玻璃的清洗是非常重要的。在目前ITO玻璃清洗工艺和COG-LCD生产工艺的应用中,大家都在尝试应用酒精和超声波清洗来处理玻璃。
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就反应机理而言,等离子体清洗通常包括以下过程:无机气体被激发成等离子体态;气相物质吸附在固体表面;吸附基团与固体表面分子反应形成产物分子;产物分子分解形成气相;反应残留物从表面除去。等离子清洗技术最大的特点是不管要处理的衬底类型如何,都可以进行处理。
半导体的污染杂质和分类:半导体制造需要一些有机和无机材料参与完成,另外,由于过程总是在净化室中由人参与进行,所以半导体晶圆不可避免地会受到各种杂质的污染。根据污染物的来源和性质,可大致分为颗粒、有机(机械)物质、金属离子和氧化物。颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这些污染物主要通过范德华引力吸附在晶圆表面,影响器件光刻几何形状和电学参数的形成。
等离子清洗设备(plasma cleaner)也叫等离子表面处理仪或等离子清洗机,是一种全新的高科技技术,利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。等离子体是物质的一种状态,也叫做物质的第四态。对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。等离子体的“活性”组分包括:离子、电子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等。等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面,从而实现清洁等目的。
根据等离子体作用下C2烃的产率,负载的过渡金属氧化物的催化活性顺序如下: Na2WO4 / Y-Al2O3> Cr2O3 / Y-Al2O3 ≈ Fe2O3 / Y-Al2O3> TiO2 / Y-Al2O3 ≈ NiO / Y-Al2O3 ≈ Mn2O3 / Y-Al2O3> Co2O3 / Y-Al2O3> ZnO / Y-Al2O3 ≈ MoO3 / Y-Al2O3 ≈ Re2O7 / Y-Al2O3 根据 CO 产率的高低,负载的过渡金属氧化物的催化活性顺序如下: NiO / Y-Al2O3> TiO2 / Y-Al2O3> Re2O3 / Y-Al2O3 ≈ Fe2O3 / Y-Al2O3 ≈ Co2O3 / Y-Al2O3> MoO33 / Y-Al2O3 ≈ ZnO / Y-Al2O3 ≈ Mn2O3 / Y-Al2O3> Na2WO4 Y -Al2O3 ≈ Cr2O3 / Y-A12O3。
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为防止粘合剂剥落,无机附着力助剂请使用热熔粘合剂,其他高端胶粘剂只能在一定程度上起到防粘作用,且成本高昂,即使脱胶后也会引起投诉和退货问题。离子装置发射的等离子体中粒子的能量一般在几到几十个电子伏特左右,大于高分子材料的键能(几到10个电子伏特),是一种有机聚合物。新加入。但它远低于高能放射线,只包含材料表面,无磨损,不影响基体性能。
混合集成电路由于体积小、重量轻、组装密度高、气密性好等优点,无机附着力助剂被广泛应用于航空航天领域。在混合集成电路中,键合线通常用于互连电路内的电信号。据统计,70%以上的混合集成电路产品故障是由于键合故障造成的。由于接合前的界面在焊接和接合过程中会受到大气和温度的影响,因此接合处不可避免地会被各种化合物的残留物污染,导致接合后出现虚焊和脱焊现象。
本文分类:西宁
本文标签: 无机附着力助剂 无机附着力促进剂粉末 等离子清洗机 半导体 等离子 晶圆
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发布日期:2022-12-12 14:33:45