接触孔技术工艺集成发展过程中的两个关键里程碑是之前的 COSI（钴）为 65NM 技术节点使用 NISI（镍金属硅化物）来降低接触电阻和信号金属硅化物）开始被用作接触金属。 延迟并使用来自 45NM 技术节点的高应力硅硅材料来提高器件性能并用作接触蚀刻停止层（CONTACT ETCH STOP L
