目前，ICP刻蚀机器等离子清洗机RIE/ICP刻蚀主要用于电阻变化存储器，存储单元的刻蚀轮廓过于倾斜，导致刻蚀后金属电极横向腐蚀严重。随后的工艺优化（如功率脉冲）或引入新的反应气体应该能够取得进一步的进展。等离子清洁器中性粒子束注入 (NBE) 是磁隧道结蚀刻所独有的，它往往会在当前 RRAM 应用
