为了解决这个问题，亲水性改性功能许多学者花了近十年的时间研究了两种提高二氧化硅薄膜驻极体存储电荷稳定性的方法。首先，在 1990 年代初期，荷兰学者提出了一种化学校正方法。也就是说，集成电路技术中常用的表面疏水物质（HMDS）均匀地包覆在二氧化硅薄膜的表面，SIO2的表面由亲水变为疏水。疏水处理的二
