这对于蚀刻的优点是定义通道材料图案的单一目的。此前，CCPplasma蚀刻机器CCl2F2气体用于刻蚀，但由于选择性和等离子体对底层膜的破坏，有人开发了两种组合的气体等离子体刻蚀方案，CHF3+BCl3和CF4+BCl3。在有效性方面，两种方法都可以实现更快的蚀刻速率和更高的 InAlAs 选择性，
