碳化硅SiC、氮化镓GaN、硅Si和砷化镓GaAs的部分参数如下图所示：SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs,相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs。宽禁带半导体的较高工作温度高于第一代和第二代半导体。击穿场强和饱和热导率也远高于Si和GaAs。第三代宽带隙半导体的应用从第三代半导体的发展来
