广东芳如达科技有限公司 2022-12-22 19:14:26 112 阅读
那我跟大家分享一下:根据反应类型的不同,附着力促进剂6040等离子清洗系统的清洗技术可分为两大类:等离子物理清洗,即高能射线冲击用于活性粒子污染物的使用和分离;等离子化学清洗,即反应在活性粒子和杂质分子之间,污染物被挥发分离。 (1) 激发频率对等离子清洗类型有一定影响。例:超声波等离子体(激发频率,40kHz)的大部分反应是物理反应;微波等离子体(激发频率,2.45GHz)的反应大部分是化学反应。
表3-3等离子体作用下催化剂的催化活性201催化剂转化率/%选择性/%产率/%比/molC2H6 CO2、C2H4、C2H2、C2H4和C2H2、C2H4/C2H2、H2/CONo催化剂33.8 22.7 12.4 25.4 12.7 0.48 2.3410La2O3/Y-Al2Oy 37.5 18.5 20.8 32.0 19.8 0.65 2.7410CeO2/ Y-al2o3 42.4 20.6 20.4 31.3 21.8 0.65 2.640.1Pd/ Y-al2o3 30.0 24.6 46.7 6.3 15.9 7.40 1.46注:反应条件为:催化剂投加量0.7ml,附着力促进剂6040放电功率20W(峰值电压28kV,频率44Hz),流量25 ml/min,进料C2H6(50vol.%), CO2 (50vol.%)。
氩本身是惰性气体,附着力促进剂6040等离子体氩不与表面发生反应,而是通过离子轰击清洁表面。典型的等离子体化学清洗工艺是氧等离子体清洗。等离子体产生的氧自由基非常活跃,容易与碳氢化合物反应生成二氧化碳、一氧化碳、水等挥发性物质,从而去除表面污染物。等离子体2.按激励频率分类常用的等离子体激励频率有三种:激励频率为40kHz的超声等离子体、激励频率为13.56MHz的射频等离子体和激励频率为2.45GHz的微波等离子体。
我们使用13.56MHz高频电源在设备中产生辉光放电,附着力促进剂6040在不同的反应室条件下,实现多种不同的反应机理,从而产生不同的工艺效果。等离子体表面处理机清洗技术的一个重要优势在于其通用性。等离子体表面处理机可用于各种材料的表面活化、清洗、蚀刻和沉积。。
芜湖附着力促进剂作用机理
1. 真空等离子清洗机处理的产品或材料的反应机理真空等离子清洗机在低压反应室中处理产品。基本操作流程是将被加工物置于支架或电极上并合上。反应室。室门。然后将其抽真空至设定的背景真空值,通过相应的工艺气体,并保持真空在 20- PA 范围内。然后启动电源以形成等离子体并与产品或材料发生化学反应,包括物理或等离子体清洁、等离子体活化、等离子体蚀刻、等离子体聚合等。
就反应机理而言,等离子体清洗机通常包括以下过程:无机气体被激发成等离子体态;气相物质吸附在固体表面;吸附基团与固体表面分子反应形成产物分子;产物分子分解形成气相;反应残留物从表面除去。
等离子体的基本过程是不同的带电粒子在电场和磁场的作用下相互作用,产生不同的效果。利用等离子体的特性,可用于各种用途,是电气开发的新领域。等离子清洁剂不仅在弹性体行业中发挥作用,还可以用等离子活化和清洁塑料、金属、玻璃等复合材料,清洁电子元件、PCB清洁剂、静电消除器、IC等清洁表面并加强粘合。优异的成绩)。一些工艺使用一些化学品来处理这些橡胶和塑料的表面。
化学办公室常用来去除这类杂质由各种试剂和化学药品配制的清洗液与金属离子反应形成金属离子络合物,从晶圆表面分离出来。氧化物半导体晶片暴露在氧气和水中会形成一个自然的氧化层。这种氧化膜不仅阻碍了半导体制作的许多步骤,而且含有一些金属杂质,在一定条件下会转移到晶圆上,构成电缺陷。这种氧化膜的去除通常是用稀氢氟酸浸泡完成的。
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等离子体表面改性是等离子体与材料表面相互作用的过程,附着力促进剂6040包括等离子体物理和等离子体化学两个过程。等离子体和材料表面改性的机理可以简单解释为:等离子体中的各种活性粒子撞击材料表面,引发能量交换过程中的大分子自由基进一步反应,在材料表面引入新的基因簇并去除小分子,从而导致材料表面性能的改善。结果表明,等离子体作用后材料表面主要有四种变化:产生自由基。
此外,附着力促进剂6040高能离子会在压力下对介质的外观产生物理影响和蚀刻,从而去除再沉积的化学反应产物和聚合物。介电层的蚀刻是通过化学和物理的共同作用完成的。蚀刻是晶圆制造过程中的重要环节,也是微电子集成电路制造过程和微纳制造过程中的重要环节。一般在光刻胶涂层和光刻显影后,目的是利用光刻胶作为掩模,物理溅射,化学作用去除不需要的金属,形成与光刻胶图案相同的电路图案。
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