导致 PID 的主要机制包括： (1) 等离子体密度。等离子体密度越高，固体降低表面活化能方法电流越大，等离子体密度越高，电荷诱发损伤模型越有可能出现PID问题。 KRISHNAN 等人发现，将 ICP 金属蚀刻反应室的高度从 8CM 降低到 5CM，显着提高了晶圆表面的电场强度。等离子体密度的增加
