Oates建议用两阶段缺陷形核和缺陷生长模型代替现有的只考虑缺陷形核的根号E模型来延长外推失效时间。由于高电压下缺陷生长非常迅速，td表面处理测量的失效时间只表征了缺陷形核过程，而低电压下缺陷生长要慢得多，这个时间在模型中没有反映。缺陷形核和长大的过程可以用两级应力测量技术来表征。按此方法，低K T
