置于室中的基底表面一般具有羟基或氢端反应位，薄膜电晕处理方法铜前驱体在基底表面的饱和化学吸附量与表面反应位的含量和密度密切相关。随着沉积循环次数的增加，衬底表面粗糙度的增加表明衬底表面沉积发生在实验初期，在生长初期没有生长延迟。但在10个循环内没有得到连续的铜膜。薄膜生长初期，铜膜以岛状生长方式沉积
