因此，tc处理的培养皿等离子清洗机（Pos）的后蚀刻工艺引入（t-etching）技术：在完成GST蚀刻去除光刻胶后，加入以含氟气体为蚀刻剂（CF4、SF6、NF3等）的短时间蚀刻配方，激活GST即可。通过使用含氟气体，由于蚀刻副产物的特性，可以大大提高湿法清洗的效果。。等离子清洗机真空室 等离子清
