而 HBr/O2的蚀刻率差异大于20%，贵州真空等离子清洗的干式螺杆罗茨真空泵报价HBr/Cl2的蚀刻差异率介于二者之间，约为13%。因此，在蚀刻位于多晶硅栅上半部的N型掺杂多晶硅时，采用CF4是较好的选择。因为多晶硅栅蚀刻要停止在栅氧化硅上，因此当使用CF4 气体的主蚀刻步骤蚀刻完上半部的掺杂多晶
