自旋转移矩磁存储器的制造也是通过在标准CMOS逻辑电路的后端金属结层中央嵌入存储单元（磁隧道结），ICP等离子清洗仪并集成自旋转移矩磁隧道结的逻辑来实现的。 ..从后端电路和磁性隧道结的粗略工艺可以看出，磁性隧道结的蚀刻对于器件性能非常重要。目前使用的蚀刻技术包括等离子清洁器离子束蚀刻（ion be
