集成电路芯片中引线键合的质量对微电子器件的稳定性有根本性的影响，电晕电晕处理薄膜设备键合区必须无污染物且具有优良的引线键合效率。金属氧化物、有机化学沉淀物等污染物的存在可严重降低引线键合的抗拉强度。通常的湿式清洗并不能完全去除键合区的污染物，而电晕技术可以有效去除键合区的表面污垢，活化表层，可以大大
