当线圈输出电压达到2000V时，等离子体呈电中性将形成容性耦合。这种电容性高电压可以点燃并维持等离子体放电。另一方面，部分高电压的组成也会导致介质窗口的蚀刻，从而导致颗粒的发生，可能构成晶圆污染。为了降低容量对于性耦合，法拉第屏蔽可与线圈末端的接地电容器串联使用。图9法拉第屏蔽ICP源结构。一般认为
