扫描电子显微照片中，电感耦合等离子体刻蚀一般用什么气体刻蚀工艺采用SiO2作为硬掩模材料形成图案，H2气体等离子体刻蚀出的100nm厚的Cu膜明显形成阶梯结构，Cu膜，可见Si衬底暴露在下方.与Ar气等离子刻蚀工艺相比，刻蚀后Cu膜的损失不明显。这表明 H2 气体等离子体蚀刻主要依赖于化学蚀刻，而
