电晕清洗剂刻蚀技术的应用及新型磁存储器的介绍；磁随机存储器(MRAM)是一种以磁隧道结(MTJ)为核心部件的存储器。磁隧道结是铁磁层/隧道势垒层（金属氧化物，电晕处理流程如MgO）/铁磁层的三明治结构，其中一层铁磁材料称为参考层，其磁化方向固定，另一层铁磁材料称为自由层，其磁化方向可通过外加磁场或极
