UHF射频源在原理上可以实现IED方向较窄的离子能量峰，cpp电晕处理功率有助于高刻蚀选择比的实现。但UHF射频通常会带来驻波效应，影响电晕均匀性，尤其是在大尺寸晶圆上。目前IED方向的改良型商用机包括东京电子公司开发的CCP机，采用负直流脉冲作为上电极，主要用于超高长宽比存储器中电介质材料的蚀刻。
