1962年，激光镭射膜电晕处理装置美国霍尔制造了p-n同质结的DI半导体激光器。产生激光必须满足三个条件：粒子数反转分布、谐振腔和电流超过一定阈值。1963年，美国的Kremer和苏联的Alferov分别独立制作了异质结激光器，即图8中，在结区使用了一种带隙较小的材料，如GaAs；另一种宽禁带材料，
