由直接通过栅氧化层隧穿的电子测量的缺陷产生率是施加到栅氧化层的电压的幂函数。因此，模型金属附着力故障时间与电压的关系如下。 TF = B0V-n (7-12)如果氧化层足够薄，缺陷的发生与氧化层的厚度无关，但很重要。取决于氧化层的厚度，它具有很强的缺陷密度，会导致氧化层的破坏。对于low-k材料TD
