Oates等人建议使用两阶段缺陷形核和缺陷生长模型来替代现有的只考虑缺陷形核的根E模型，模型漆附着力不好的原因以延长外部推导的失效时间。由于在高电压下缺陷生长非常快，测量的失效时间只代表缺陷的形核过程，而在低电压下缺陷的生长要慢得多，这个时间在模型中没有体现出来。缺陷的形核和生长过程可以通过两阶段应
