以化学气相沉积(HDPCVD)法制备高密度等离子体源(例如，黑龙江感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀感应耦合等离子体(ICP)、电子回旋共振等离子体(ECR)或螺旋波等离子体(helicon))，激发含有硅烷、氧气和氩气的混合气体。以基底为阴极，等离子体中的高能量正离子就会被吸引到晶体表面，然后氧与硅烷反应
