研究进展表明，中微半导体3nm刻蚀机的正式敲定通过优化 CH3OH/Ar 比，可以改善由反应离子刻蚀引起的材料不可避免的磁劣化所导致的磁阻劣化问题。除了气体选择优化之外，脉冲功率技术的引入进一步改善了对磁性隧道结刻蚀形状的控制。除了各有优缺点的 IBE 和 ICP 外，中性粒子束蚀刻 (NBE) 也
