等离子表面活化处理等离子体刻蚀工艺去静电步骤的方式： 随着半导体制造技术的发展，哪种矿物质亲水性最强工艺节点不断缩减，后段铜互连技术已被广泛应用。众所周知，铜互连技术的结构基础是大马士革结构，而大马士革结构的刻蚀在后段工艺中占据了重要的位置。后段刻蚀方式有很多类型，如先刻蚀通孔再刻蚀沟道、先刻蚀沟
