135-3805-8187
二氧化硅亲水性(气相二氧化硅亲水性疏水性)

二氧化硅亲水性(气相二氧化硅亲水性疏水性)

这两种气体等离子体都是通过沿着石墨烯晶体表面的化学反应来蚀刻石墨烯的。不同的是,二氧化硅亲水性氧等离子体在攻击碳-碳键后会形成一氧化碳和二氧化碳等挥发性气体。氢等离子体会与甲烷和碳氢化合物结合。2010年,中国科学院物理研究所张光宇发表了一篇以氢气为主要气体蚀刻单层、双层石墨烯的文章。指出射频功率是