图8两种方法的ICP结构用于等离子体刻蚀的ICP源一般为平面结构，双津高附着力镀铝CPP膜该方法容易取得可调的等离子体密度和等离子体均匀性分布，此外平面ICP源使用的介质窗也易于加工。石英和陶瓷是常用的介质窗资料。此外感应耦合ICP源也存在容性耦合，介质窗作为线圈和等离子体之间的耦合层是作为一个电容
