P3/4HB薄膜等离子体改性前静电接触角为122°，cob等离子体活化机但在高度疏水条件下，经氧等离子体处理后，静电接触角显着下降至78°，表现出中等亲水性。在P3/4HB薄膜表面，元素C和O在支架表面起主要作用，而在P3/4HB薄膜表面，氧元素含量显着增加并相应增加。 、C、O元素含量增加。随着C
