早期采用CCl2F2气体进行刻蚀，ccp刻蚀机和RIE刻蚀但由于选择比和等离子体对底层膜的损伤，提出了CHF3+BCl3和CF4+BCl3两种组合气体等离子体刻蚀方案。从效果上看，两种方案都能实现较快的InAlAs刻蚀速率和较高的选择性，且更容易在低电压、高射频功率下实现。对于两种相似材料，刻蚀速率
通过活性氢原子和自由基重组反应进一步夺取氢导致形成C2H4和C2H2。同时，CCP刻蚀机原理C2H6 本身与高能电子之间的非弹性碰撞很可能导致其 CC 键断裂，从而形成中间基网格，作为 CH4 形成的基础。因此，与等离子等离子体作用下的纯C2H6脱氢相比，C2H6的转化率和C2H2、C2H4和CH4