气压1～5托（1托≈133帕），c18亲水性色谱柱岛津电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等离子体沉积一层
