20NM以上区域，亲水性二氧化硅产量清洗工序数超过所有有30%的工艺流程。从 16 / 14NM 结开始，在 3D 晶体管构造、更复杂的前后端集成以及 EUV 光刻等因素的推动下，工艺流程数量显着增加。过程。工艺接头降低了挤出产量并增加了对等离子发生器的需求。考虑到工艺连接点的不断减少，半导体企业需
