如果偏置间隔过宽，FCB等离子蚀刻机则重叠电容会过小，驱动电流会下降。同时，随着偏移侧壁宽度的增加，时延减小，但当达到一定规模时，时延变差。因此，应仔细优化偏移侧壁的宽度，以确保最佳的器件性能。在 90 nm 之前的技术工艺中，用于等离子清洗设备的电容耦合等离子 (CCP) 介质蚀刻机主要用于执行偏
