在等离子体伪栅去除工艺 中，镀层附着力试验报告要完全清除角落里的多晶硅，需要施加较长时间的基于NF3/H2气体的过蚀刻，但由于等离子体直接接触High-k栅介质层上的功函数金属，等离子体中的氢离子对栅介质层的损伤大大增加，Ji等人推测同步脉冲等离子体能够在保证角落没有多晶硅残留的情况下，通过降低电子
