然后做第二次曝光工艺，胶片印刷与达因值的关系一般采用含硅底增透层的三明治结构工艺，即先采用旋涂工艺沉积下层，达到平坦化的目的；然后在中间层旋涂含有硅的底增透层；旋涂光刻胶和切割孔的曝光工艺。多晶硅栅是通过蚀刻工艺切割的，通常称为P2。这种双图案工艺有效避免了一次图案工艺中栅格长宽两个方向黄光曝光的缩
