等离子体刻蚀对PID的影响；等离子体诱导损伤(PID)是指在集成电路制造过程中，刻蚀工程师怎么样由于各种等离子体工艺对MOSFET器件造成的损伤，导致器件性能偏差。在等离子体环境中，由于放电产生了大量的离子和电子。离子在电极电位或等离子体自偏压的作用下加速向晶片表面移动，对衬底产生物理轰击，促进表面
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静电驻极装置、静电发生器 静电发生器是专门为提高熔喷无纺布过滤材料过滤效率而设计的加工装置。经静电驻极装置处理的熔喷无纺布，亲水性和吸湿性区别由于在静电的影响下可以捕捉到细小粉尘，因此具有过滤效率高、过滤阻力小等优点。用静电驻极体装置处理的熔喷布在空气过滤过程中增加了静电吸附。根据库仑力的不同，带电
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对钝化层蚀刻，贵州真空等离子清洗机的真空泵组哪里有卖过蚀刻时间却对PID的影响不显著，可能因为其接收天线是铜，而金属层蚀刻时是钨，敏感性不同，同时距离前段器件距离太远。在第二钝化层蚀刻中，同样对过蚀刻时间不敏感，但使用磁场会带来严重的PID问题，相比于没有磁场的工艺，使用磁场能改善蚀刻均匀性，但其带