因此，氮化硼亲水性等离子表面清洗机侧壁蚀刻主步骤的终点监测一旦发现底部氧化硅暴露，将立即停止蚀刻并切换到过蚀刻步骤。从覆盖蚀刻步骤蚀刻剩余的氮化硅薄膜，并停止在硅氧化物薄膜上，以防止对底层硅基体的破坏。过蚀刻步骤通常与CH3F或CH2F2和O2气体一起使用。在等离子体中，CH3F气体分解为CHx和f
