因为氮化硅侧墙蚀刻可以停止在下面的氧化硅层上，亲水性处理后接触角所以不会对硅有影响 这样的侧墙也叫氮化硅侧墙或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)侧墙。到了0.18μm时代，这个氮化硅侧墙的应力太大，会造成饱和电流降低，漏电增加。为了降低应力，需要提高沉积温度到700℃，量产的热成本将
