要将高压下的测试结果 外推到低压即工作电压下，三价铁离子和铜离子亲水性就需要借助于失效时间模型。关于金属层电介质击穿有两个广为 人知的模型，一个是热化学击穿模型，即Si-O键在高压下断裂，为本征失效，另一个是电荷注入模型，即认为铜离子扩散进人电介质导致击穿，为非本征击穿。但 CU 表面的氧化物 CU
