在集成电路制造工艺中，万宁片材电晕处理机批发由充电效应引起的栅氧化层退化是一个严重的问题。引起PID的主要机理如下：（1）电晕密度。更高的电晕密度意味着更大的电流。在电荷诱导损伤模型下，较高的电晕密度更容易产生PID问题。克里希南等人。发现ICP金属刻蚀反应室高度由8cm降低到5cm，晶片表面电场强
