广东芳如达科技有限公司 2022-12-22 16:51:17 135 阅读
研究等离子体作用下纯乙烷转化反应的可能机制在相同的等离子体条件下,油漆附着力划叉实验研究了纯乙烯的转化反应。反应的主要产物是 C2H2、CH4 和少量积碳。从以上实验结果可以推断出等离子体条件下C2H6转化反应的过程,以及等离子体作用下甲烷转化反应的机理和等离子体特性。 (1) 等离子体场产生高能电子。自由电子在电场E的作用下被加速,产生高能电子e*。 e + E → e * (3-26) (2) 开始自由基反应。
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与溶剂清洗不同,油漆附着力划叉实验等离子清洗的机理是依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。从清洗效果来说,等离子体清洗是所有清洗工艺中最为彻底的剥离式的清洗。这个不会,是从理论上来说的,等离子清洗是利用气体作为清洗介质通过高压电场将气体电离,来对材料表面进行清洗,通过外观观察与未进行等离子清洗的产品之间外观进行比较,并未无可分辨的差异。
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此外,为了方便用户,等离子体表面处理器还具有安全联锁功能,用户可以根据需要,将主动控制装置安装在生产线中,一旦生产线没有包装盒通过,等离子体处理器立即主动停止等离子体的喷发,包装盒通过时主动喷射等离子体,就有了真空等离子体处理器。电极布置在密封舱内。在真空泵的作用下,舱内气压达到5-10毫托。在高频发生器的作用下,电极间产生等离子体,然后对样品的外观进行处理,改变外观;活动的目的。
职业、医疗、航空工业等等离子表面处理技术还具有以下优点: 1、环保技术:等离子表面处理效果的过程是气相干反应,不消耗水资源,不需要添加化学物质。 2、效率高:整个过程可在短时间内使用。
如前文所述,HBr/O2对N型掺杂多晶硅的蚀刻率比未惨杂多晶硅高20%,极易产生缩脖效应,因此 HBr/O2的过蚀刻量要严格控制,一般以30%为宜,过少的过蚀刻量会导致多晶硅栅侧壁底部长脚(Footing),过多的过蚀刻量会导致上部缩脖效应加剧。 等离子表面处理机过蚀刻步骤尽管采用具有针对栅氧化硅较高蚀刻选择比的HBr/O2蚀刻工艺,仍然容易导致硅穿孔(Pitting)及硅损伤。
基本操作过程将待处理物放在支架或电极上,关闭反应室门;然后抽真空至背面和底部的设定真空值,并引入相应的工艺气体,使真空度保持在20-Pa范围内围;接下来,启动电源形成等离子体与产品或材料进行物理或化学反应,包括等离子体清洗、等离子体活化、等离子体刻蚀、等离子体聚合;整个反应完成后,通入压缩空气或氮气,使空气破碎,取出物体。。工作压力对等离子体清洗效果的干扰;工作压力是等离子体清洗的重要参数之一。
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发布日期:2022-12-22 16:51:17