方程（7-18）也称为TDDB的模型根号E。低电场下TDDB的失效时间可达数年。更多的实验结果表明，电晕机与薄膜间距Cu/Low--低电场下K结构的失效时间更接近根E模型导出的失效时间，实验证实了根E模型的正确性。通过增加低k材料中的孔隙率，可以有效地降低k值，但会增加材料中的缺陷。当介电间距减小到
