等离子表面处理机的超低温深反应离子刻蚀工艺采用- ℃以下的O2连续等离子刻蚀和SF6等离子刻蚀产生的副产物保护层，在硅胶上有附着力采用平坦的大纵横比结构图案间距形成。 低温刻蚀工艺的主要机理是通过独立控制发生在硅沟槽底部和沟槽侧壁的刻蚀反应，改变阴极电压来降低硅片的温度，从而使硅升高。底物群岛可以
