这意味着磁隧道结可以直接由电流驱动，隧道为什么附着力降低了电子自旋极化后，在铁磁原子中产生力矩，改变铁磁层的磁化方向，实现电阻的变化。因此，您可以同时提高内存区域和性能。 1T1M（ONE TRANSISTOR ONE MTJ）自旋转移力矩磁存储单元结构。在为字线和晶体管选择磁隧道结之后，通过位线执
