对于p型OFET,黏聚力与附着力大小的不同其高已占据轨道能级在-4.9eV到-5.5eV之间,应选择高功函数,常用的有Au(-4.8EV-5.1eV)和ITO(-5.1eV)。由于普通ITO的功函数低,由于需要采用递进功函数,因此可以采用vP-R3低温等离子体发生器进行改进,其频率为13.56MHz