等离子表面处理机多晶硅栅极蚀刻： 当CMOS工艺延伸到65nm及以下工艺节点时，203附着力促进剂是危化品吗等离子表面处理机栅极的蚀刻制造面临诸多挑战。作为控制沟道长度的关键工艺，多晶硅栅极的图形与器件性能紧密相连，牵一发而动全身。摩尔定律推动黄光图形技术从248nm波长光源工艺转向193nm 波长
