经过一段时间的负栅偏压和温度应力后，铜片plasma表面处理设备Si/SiO2New PMOS界面出现界面态，界面电位升高，空穴俘获产生的界面态和固定电荷带正电，阈值电压向负偏移方向。相比之下，NMOS 受 PBTI 的影响要小得多，因为它的界面和固定电荷极性相互抵消。随着新的技术节点的出现，随着集
