低温低压放电技术成功解决了这一问题，辽宁等离子处理仪参数该工艺产生的改质层中含有称为扩展奥氏体的富氮层。。一般等离子处理设备的氮化工艺需要3-10毫巴的气压。这将在等离子处理器和电路板之间提供足够的接触。对于表面有有效小凹槽、螺纹等复杂形状的基板，在复杂形状附近等离子体参数的分布会发生变化并改变周围
