传统湿法处理的 SiC 表面存在的主要污染物是碳和氧。这些污染物可以在低温下与 H 原子发生反应，表面活化剂的亲水基团并以 CH 和 H2O 的形式从表面去除。等离子处理后表面的氧含量明显低于常规湿法清洗。已发现表面杂质 C 的存在是制造半导体 MOS 器件和欧姆接触的主要障碍。在等离子体处理后消除
